Low-temperature epitaxial growth of in-situ B-doped Si<sub>1-x</sub> Ge<sub>x</sub> films.

文献

J-GLOBAL ID：200902168497153514 整理番号：93A0936773

Low-temperature epitaxial growth of in-situ B-doped Si_1-x Ge_x films.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0936773&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0936773&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0743C") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 3 号： C3 ページ： 427-432 発行年： 1993年08月
JST資料番号： A0743C ISSN： 1155-4339 資料種別：会議録 (C)
発行国：フランス (FRA) 言語：英語 (EN)

前のページに戻る