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J-GLOBAL ID：200902170743998000   整理番号：93A0610047

固体ソースMBEによるコンタクト層のガスソースMBE歪Si_1-xGe_x/Si:SQW上への再成長

Solid-source-regrowth of a contact layer on gas-source-grown strained Si_1-xGe_x/Si SQW.

著者 (6件)： 加藤喜峰 (日本アイ・ビー・エム 東京基礎研) ,  深津晋 (東大) ,  宇佐美徳隆 (東大) ,  砂村潤 (東大) ,  白木靖寛 (東大) ,  狩野覚 (日本アイ・ビー・エム 東京基礎研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 179  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： 固体 ,  ソース ,  MBE ,  コンタクト層 ,  ガスソースMBE ,  歪 ,  Si ,  再成長