文献

J-GLOBAL ID：200902172628517867   整理番号：01A0849956

Si(100)上のオゾンによる初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察による研究

Initial oxidation process by ozone on Si(100) investigated by scanning tunneling microscopy.

著者 (4件)： ITOH H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 482/485  号： Pt.1  ページ： 114-120  発行年： 2001年06月20日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： けい素基板上での酸化物膜の形成はデバイス工業で最も重要な課題...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0849956&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  オゾン ,  初期 ,  酸化 ,  過程 ,  走査型トンネル顕微鏡観察 ,  研究