無転位シリコンにおける置換型ニッケル原子分布の深準位過渡分光法と,拡散の解離機構に基づく理論解析による研究

TANAKA S; IKARI T; KITAGAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902173148816402 整理番号：03A0011609

無転位シリコンにおける置換型ニッケル原子分布の深準位過渡分光法と,拡散の解離機構に基づく理論解析による研究

Distribution of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Theoretical Analyses Based on the Dissociative Mechanism of Diffusion.

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資料名：
巻： 41 号： 11A ページ： 6305-6309 発行年： 2002年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

深準位過渡分光法(DLTS)により,シリコン中,置換型ニッケ...

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固体中の拡散一般 , 半導体の格子欠陥

引用文献 (19件)：

1) M. Yoshida and K. Saito: Jpn. J. Appl. Phys. 6 (1967) 573.
2) F. C. Frank and D. Turnbull: Phys. Rev. 104 (1956) 617.
3) A. G. Tweet: Phys. Rev. 106 (1957) 221.
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