文献

J-GLOBAL ID：200902173270662173   整理番号：94A0340550

材料表面現象の第一原理分子動力学シミュレーション シリコン単結晶(001)表面の水素終端化反応

First-principles Molecular-dynamics Simulations of Material Surface Processing. H-termination Process of Si(001)Surface.

著者 (6件)： 広瀬喜久治 (大阪国際女大) ,  後藤英和 (京都工繊大 工芸) ,  土屋八郎 (大阪大 工) ,  森勇蔵 (大阪大 工) ,  遠藤勝義 (大阪大 工) ,  山内和人 (大阪大 工)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 60  号： 3  ページ： 402-406  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 化学反応による材料表面現象を利用した超精密加工プロセスを開発...

シソーラス用語： 密度分布 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0340550&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0268A") }}

分類 (3件)： 化学プロセスの解析  (XC01030R) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  切削一般  (QC02010V)

引用文献 (15件)：

• 1) 高萩隆行 : シリコソウエハ表面の水素不活性化, 精密工学会超精密加工専門委員会第15回研究会資料, (1993) 15.
• 2) W. Kohn and L. J. Sham : Self-consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects, Phys. Rev., 140, 4 A, (1965) 1133.
• 3) G. B. Bachelet, D. R. Hamann and M. Schluter : Pseudopotentials that Work : From H to Pu, Phys. Rev., B 26-6, (1979) 4199.
• 4) R. Car and M. Parrinello : Unified Approach for Molecular Dynamics and Density - Functional Theory, Phys. Rev. Lett., 55, 22, (1985) 2471.
• 5) 宇田 毅 : 第一原理分子動力学によるシリコン表面の構造予測, 精密工学会誌 59, 6 (1993) 886.

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面現象 ,  第一原理分子動力学シミュレーション ,  シリコン単結晶 ,  水素終端