水素不動態化したシリコン表面の高純度オゾン酸化

文献

J-GLOBAL ID：200902173289393815 整理番号：96A0829325

High purity ozone oxidation on hydrogen passivated silicon surface.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0829325&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0829325&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 100/101 ページ： 436-439 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

高純度オゾンを用いて水素不動態化したシリコン表面を酸化し,初...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0829325&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

固体デバイス製造技術一般 , その他の無触媒反応

, , , ,

前のページに戻る