文献
J-GLOBAL ID：200902173650132355   整理番号：97A0374782

窒化シリコンの原子層化学蒸着

Atomic-layer chemical-vapor-deposition of silicon-nitride.
著者 (3件)：
MORISHITA S

MORISHITA S について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について

, 
SUGAHARA S

SUGAHARA S について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について

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MATSUMURA M

MATSUMURA M について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 112  ページ： 198-204  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ジクロロシランとヒドラジンを交互曝して窒化シリコン膜の層状成...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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原子層エピタクシー

原子層エピタクシー について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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原子層蒸着

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分類 (1件)：
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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タイトルに関連する用語
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窒化シリコン

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原子層化学蒸着

原子層化学蒸着 について


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