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J-GLOBAL ID：200902174700955206   整理番号：00A0164010

リッジ型InGaAs/InAlAs量子ワイヤ電界効果トランジスタにおけるN形状負性微分低抗の観察

Observation of N-shaped negative differential resistance in ridge-type InGaAs/InAlAs quantum wire field-effect transistor.

著者 (5件)： KIM S J (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUGAYA T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OGURA M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA Y (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TOMIZAWA K (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 272  号： 1/4  ページ： 117-122  発行年： 1999年12月 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： リッジ ,  InGaAs ,  InAlAs ,  量子ワイヤ ,  電界効果トランジスタ ,  微分 ,  観察