文献

J-GLOBAL ID：200902174842528305   整理番号：95A0788461

プラズマ促進化学蒸着の初期段階における水素化非晶質シリコンの表面形態

Surface Morphologies of Hydrogenated Amorphous Silicon at the Early Stages of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition.

著者 (4件)： DEKI H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  FUKUDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 34  号： 8B  ページ： L1027-L1030  発行年： 1995年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)超薄膜を原子レベルで平坦...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0788461&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• TOYOSHIMA, Y. Appl.Phys.Lett. 1990, 56, 1540
• BLAYO, N. J.Non-Cryst.Solids. 1991, 137 & 138, 771
• MIYAZAKI, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, 787
• KNIGHTS, J. C. J.Non-Cryst.Solids. 1980, 35 & 36, 159
• MIYAZAKI, S. J.Non-Cryst.Solids. 1989, 114, 774

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ促進化学蒸着 ,  初期段階 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  表面形態