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J-GLOBAL ID：200902176977168760   整理番号：94A0437139

イオン誘起二次電子による負イオン注入時の絶縁物基板の帯電測定

Surface Potential Measurement of the Insulator with Secondary Electron Caused by Negative Ion Implantation.

著者 (8件)： 辻博司 (京大 工) ,  豊田啓孝 (京大 工) ,  南雲正二 (京大 工) ,  後藤康仁 (京大 工) ,  石川順三 (京大 工) ,  酒井滋樹 (日新電機) ,  丹上正安 (日新電機) ,  松田耕自 (日新電機)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 37  号： 3  ページ： 139-142  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 負イオン注入時の絶縁物基板の帯電電位は負イオン誘起二次電子の...

シソーラス用語： 負イオンビーム ,...

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分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  試料技術  (BA02070O)

引用文献 (4件)：

• MACK, M. E. Nucl. Instrum. & Methads. 1985, B6, 405
• TSUJI, H. Proc. of the Symposium on Negative Ion Sources and Their Applications. KEK Peport. 1988, 88, 7, 74-91
• SAKAI, S. Proc. of the 9th Internatioual Conference on Ion Implantation Technology-92. 1993, IIT'92, 617-520
• ISHIKAWA, J. Nucl. Instrum. & Methads. 1984, B4, 186

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  誘起 ,  二次電子 ,  イオン注入 ,  絶縁物 ,  帯電