GeF4-Si2H6系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長...選択・非選択成長の検討

文献

J-GLOBAL ID：200902177200998692 整理番号：95A0555210

GeF₄-Si₂H₆系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長...選択・非選択成長の検討

Study of selective and non-selective growth in GeF4-Si2H6 System.

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資料名：
巻： 42nd 号： Pt 2 ページ： 741 発行年： 1995年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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