0.1μmおよびそれ以下用のリソグラフィーにおけるレジスト重合体の分子量分布およびプロセス制御の影響

YOSHIMURA T; YAMAMOTO J; SHIRAISHI H; UCHINO S; TERASAWA T; MURAI F; OKAZAKI S

文献

J-GLOBAL ID：200902177895673136 整理番号：97A0632277

0.1μmおよびそれ以下用のリソグラフィーにおけるレジスト重合体の分子量分布およびプロセス制御の影響

Effects of Molecular-Weight Distributions of Resist Polymers and Process Control on Lithography for 0.1μm and Below.

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 10 号： 4 ページ： 629-634 発行年： 1997年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

特にネガ型レジストについて,標題影響を考察した。ナノメータ領...

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その他の高分子の反応 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (24件)：

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2). T. Yoshimura, Y. Nakayama and S. Okazaki, J. Vac. Sci. Technol., B 10 (1992) 2615.
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5). T. Yoshimura, H. Shiraishi, J. Yamamoto and S. Okazaki, Appl. Phys. Lett., 63 (1993) 764.

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