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J-GLOBAL ID：200902177975419672   整理番号：99A0646936

走査型プローブ法によって測定された、高エネルギーイオンビームに起因する欠陥

Defects caused by high-energy ion beams, as measured by scanning probe methods.

著者 (4件)： BIRO L P (Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN) ,  GYULAI J (Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN) ,  MARK G I (Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN) ,  DAROCZI C S (Res. Inst. Technical Physics and Materials Sci., Hungarian Acad. Sci., Budapest, HUN)
資料名： Micron  (Micron)
巻： 30  号： 3  ページ： 245-254  発行年： 1999年06月 
JST資料番号： E0318E  ISSN： 0968-4328  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型 ,  プローブ ,  高エネルギーイオン ,  ビーム ,  起因 ,  欠陥