文献

J-GLOBAL ID：200902177978446840   整理番号：02A0641043

GaN(0001)のエピタキシャル成長に関する第一原理計算

First-Principles Calculation of the Epitaxial Growth of GaN(0001).

著者 (3件)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  MIYAKE D (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 7B  ページ： L842-L845  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の結晶成長について,微視的な第一原理計算を用いて調べた。...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 表面超格子

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (28件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) R. F. Davis, Z. Sitar and B. E. Williams: J. Mater. Sci. Eng. B1 (1988) 77.
• 3) R. F. Davis: Proc. IEEE 79 (1991) 702.
• 4) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. & Technol. B<B>10</B> (1992) 1237.
• 5) M. J. Paisley and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 127 (1993) 136.

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  エピタキシャル成長 ,  第一原理計算