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J-GLOBAL ID：200902178020001343   整理番号：00A0808494

CaF₂/薄膜BaF₂複合絶縁膜の採用による金属-絶縁体-ダイヤモンド半導体界面の安定性の改善

Improved Stability of Metal-Insulator-Diamond Semiconductor Interface by Employing CaF₂/Thin BaF₂ Composite Insulator Film.

著者 (5件)： ITO A (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSUJI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HOSOMI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOBAYASHI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 8  ページ： 4755-4756  発行年： 2000年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気特性が優れたMIS構造用に力学的および化学的に強固なBa...

シソーラス用語： *フッ化カルシウム ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (12件)：

• 1) D. L. Dreifus, A. J. Tessmer, J. S. Holmes, C. T. Kao, D. M. Malta, L. S. Plano and B. R. Stoner: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339 (1994) 109.
• 2) G. Sh. Gildenbat, S. A. Grot, C. W. Hatfield and A. R. Badzian: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 37.
• 3) C. R. Zeisse, C. A. Hewett, R. Nguyen, J. R. Zeidler and R. G. Wilson: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 602.
• 4) M. W. Geis, D. D. Rathman, D. J. Ehrlich, R. A. Murphy and W. T. Lindley: IEEE Electron Device Lett. 8 (1987) 341.
• 5) Y. Otsuka, S. Suzuki, S. Shikama, T. Maki and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L551.

タイトルに関連する用語 (9件)： CaF2 ,  薄膜 ,  BaF2 ,  絶縁膜 ,  採用 ,  絶縁体 ,  ダイヤモンド半導体 ,  界面 ,  安定性