文献
J-GLOBAL ID：200902179118974362   整理番号：01A0626196

CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御

著者 (7件)：
室田淳一

室田淳一 について

(東北大 電通研)

東北大 電通研 について

, 
桜庭政夫

桜庭政夫 について

(東北大 電通研)

東北大 電通研 について

, 
松浦孝

松浦孝 について

(東北大 電通研)

東北大 電通研 について

, 
高沢裕真

高沢裕真 について

(日立国際電気)

日立国際電気 について

, 
森谷敦

森谷敦 について

(日立国際電気)

日立国際電気 について

, 
野田孝暁

野田孝暁 について

(日立国際電気)

日立国際電気 について

, 
国井泰夫

国井泰夫 について

(日立国際電気)

日立国際電気 について


資料名：
日立国際電気技報  (Hitachi Kokusai Electric Technology Journal)

日立国際電気技報 について


号： 1  ページ： 2-10  発行年： 2001年03月31日 
JST資料番号： X0673B  ISSN： 1346-5953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Si(100)基板上にSiをバッファ材としてSi-Geを成長...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*化学蒸着

化学蒸着 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0626196&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0673B") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
CVD

CVD について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について

, 
ドーピング

ドーピング について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM