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J-GLOBAL ID:200902179118974362   整理番号:01A0626196

CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御

著者 (7件):
資料名:
号:ページ: 2-10  発行年: 2001年03月31日 
JST資料番号: X0673B  ISSN: 1346-5953  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si(100)基板上にSiをバッファ材としてSi-Geを成長...
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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