文献

J-GLOBAL ID：200902180378200539   整理番号：98A0000942

ショットキーラップゲート構造を用いた単電子デバイスの作製と評価 (2)

Fabrication and Characterization of Single-Electron Devices Utilizing the Schottky Wrap-Gate Structure. (2).

著者 (5件)： 佐藤好弘 (北大) ,  葛西誠也 (北大) ,  岡田浩 (北大) ,  橋詰保 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 1  ページ： 154  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単電子デバイス ,  作製 ,  評価