研究者
J-GLOBAL ID:200901034178189468   更新日: 2024年11月12日

岡田 浩

オカダ ヒロシ | Okada Hiroshi
所属機関・部署:
職名: 教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 豊橋技術科学大学  電気・電子情報工学系   兼務教員
ホームページURL (1件): http://www.int.ee.tut.ac.jp
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (8件): 電子デバイス ,  化合物半導体 ,  量子構造 ,  半導体 ,  electron device ,  compound semiconductor ,  quantum structure ,  semiconductor
競争的資金等の研究課題 (16件):
  • 2020 - 2023 過酷環境エレクトロニクスにむけた窒化物半導体集積回路プロセス技術の開発
  • 2019 - 2022 消化管内腔での生検と移動を行えるカプセルロボットの開発
  • 2018 - 2019 「センサネットワークのための窒化物半導体集積回路の検討」
  • 2017 - 2019 「過酷環境で動作する窒化物半導体集積エレクトロニクスの検討」
  • 2017 - 2018 窒化物半導体絶縁ゲート型トランジスタの開発と過酷環境動作
全件表示
論文 (142件):
MISC (99件):
もっと見る
講演・口頭発表等 (143件):
  • 窒化物半導体集積回路の作製プロセスの検討
    (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 2024)
  • 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS構造の検討
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • 窒化物半導体集積回路のためのSi NチャネルMOSFETによる発振回路の試作と検討
    (電子情報通信学会研究会 2024)
  • Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of SiO2/GaN Formed by Atomic-Species-Enhanced Chemical Vapor Deposition
    (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023)
  • 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜/窒化物半導体構造のX線光電子分光評価
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
もっと見る
学位 (1件):
  • 博士(工学)
委員歴 (1件):
  • 2009 - 現在 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 専門委員
所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る