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J-GLOBAL ID：200902180699611590   整理番号：96A0435331

(411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs (2)

InGaAs on (411)A InP substrate grown by MBE. (2).

著者 (8件)： 佐伯達也 (大阪大 基礎工) ,  森本英徳 (大阪大 基礎工) ,  本川剛治 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  安立明 (日新電機) ,  岡本恭典 (クボタ) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 1  ページ： 304  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  MBE成長 ,  InGaAs