Transmission electron microscopy specimen preparation technique using focused ion beam fabrication: Application to GaAs metal-semiconductor field effect transistors.

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J-GLOBAL ID：200902180702685516 整理番号：94A0139423

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巻： 11 号： 6 ページ： 2016-2020 発行年： 1993年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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