文献
J-GLOBAL ID：200902181439490019   整理番号：98A0986437

n-MOSFETにおけるホットキャリア誘起光電子放出分布の分析

An Analysis of Hot-Carrier-Induced Photoemission Profiles in n-MOSFETs.
著者 (4件)：
OHZONE T

OHZONE T について

(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)

Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN について

, 
MATSUYAMA N

MATSUYAMA N について

(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)

Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN について

, 
HOSOI N

HOSOI N について

(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)

Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN について

, 
MATSUDA T

MATSUDA T について

(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)

Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN について


資料名：
Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures  (Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)

Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures について


巻： 1998  ページ： 211-215  発行年： 1998年 
JST資料番号： T0991A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
サブミクロンCMOSFETでは,ドレイン端近辺の高電界により...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*MOSFET

MOSFET について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
CMOSFET

CMOSFET について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0986437&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0991A") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス計測・試験・信頼性 
(NC03040G)

固体デバイス計測・試験・信頼性 について

,  集積回路一般 
(NC03161C)

集積回路一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
MOSFET

MOSFET について

, 
ホットキャリア

ホットキャリア について

, 
誘起

誘起 について

, 
光電子放出

光電子放出 について

, 
分布

分布 について

, 
分析

分析 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM