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J-GLOBAL ID：200902181528905877   整理番号：01A0486844

Si基板上に成長させてホスフィン/水素プラズマに曝露したIn_0.49Ga_0.51Pの電気的および光学的特性の研究

Investigation of Electrical and Optical Properties of Phosphine/Hydrogen-Plasma-Exposed In_0.49Ga_0.51P Grown on Si Substrate.

著者 (5件)： WANG G (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  AKAHORI K (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOGA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 3A  ページ： L189-L191  発行年： 2001年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に成長したIn_0.49Ga<...

シソーラス用語： リン化物 ,...
準シソーラス用語： 発光強度

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (14件)：

• 1) S. F. Fang, K. Adomi, S. Lyer, H. Morkoc, H. Zabel, C. Choi and N. Otsuka: J. Appl. Phys. 68 (1990) R31.
• 2) T. Egawa, T. Jimbo, J. Dong, K. Matsumoto and M. Umeno: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3605.
• 3) J. C. C. Fan, B. Y. Tsaur and B. J. Palm: Proc. 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (IEEE, Inc., San Diego, California, 1982) p. 692.
• 4) J. Y. Lee, Y. H. Kwon, M. D. Kim, H. J. Kim, T. W. Kang, C. Y. Hong and H. Y. Cho: J. Appl. Phys. 85 (1999) 600.
• 5) J. C. Fan, J. C. Wang and Y. F. Chen: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1463.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  成長 ,  ホスフィン ,  水素プラズマ ,  曝露 ,  光学的特性 ,  研究