ウエハボンディング及びエッチバックにより作製した緩和絶縁体上SiGe

TARASCHI G; LANGDO T A; CURRIE M T; FITZGERALD E A; ANTONIADIS D A

文献

J-GLOBAL ID：200902184052174584 整理番号：02A0394135

ウエハボンディング及びエッチバックにより作製した緩和絶縁体上SiGe

Relaxed SiGe-on-insulator fabricated via wafer bonding and etch back.

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

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巻： 20 号： 2 ページ： 725-727 発行年： 2002年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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