光酸化膜とSiH<sub>4</sub>とN<sub>2</sub>OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜

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J-GLOBAL ID：200902184242366625 整理番号：02A0659928

光酸化膜とSiH₄とN₂OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜

Stacked Gate Insulator of Photo-Oxide and PECVD Film from SiH₄ and N₂O for Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor.

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巻： J85-C 号： 8 ページ： 666-672 発行年： 2002年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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トランジスタ

引用文献 (10件)：

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