文献

J-GLOBAL ID：200902184242366625   整理番号：02A0659928

光酸化膜とSiH₄とN₂OガスからのPECVD膜を積層した低温多結晶Si薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜

Stacked Gate Insulator of Photo-Oxide and PECVD Film from SiH₄ and N₂O for Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor.

著者 (5件)： 中田行彦 (シャープ ディスプレイ技術開発本部) ,  岡本哲也 (シャープ ディスプレイ技術開発本部) ,  糸賀隆志 (シャープ ディスプレイ技術開発本部) ,  浜田敏正 (シャープ ディスプレイ技術開発本部) ,  石井裕 (シャープ ディスプレイ技術開発本部)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C  号： 8  ページ： 666-672  発行年： 2002年08月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光酸化膜とSiH₄とN<sub>2<...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• WATABABE, H. AM-LCD 01. 2001, 45
• FUYUKI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 440
• UENO, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 327
• HIRAYAMA, M. IEDM Tech. Dig. 1999, 249
• ZHANG, J. Y. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 20, 2964

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化膜 ,  SiH4 ,  N2O ,  PECVD ,  低温 ,  多結晶Si ,  薄膜トランジスタ ,  ゲート絶縁膜