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J-GLOBAL ID：200902184414350475   整理番号：00A0544421

イオンビーム照射とウェットエッチングによるSiナノピラミッドアレイ(NPA)製作の新プロセス

New Process for Si Nanopyramid Array (NPA) Fabrication by Ion-Beam Irradiation and Wet Etching.

著者 (6件)： KOH M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWARA S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  GOTO T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ANDO Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINADA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OHDOMARI I (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 4B  ページ： 2186-2188  発行年： 2000年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒドラジン(N₂H<sub>4</su...

シソーラス用語： イオン照射 ,...
準シソーラス用語： *平面アレイ

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• 1) S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom: Science 272 (1996) 85.
• 2) J. Itoh: Appl. Surf. Sci. 111 (1997) 194.
• 3) H. Masuda and K. Fukuda: Science 268 (1995) 1466.
• 4) C. Y. Chang and S. M. Sze: ULSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1996).
• 5) M. Iwatsuki, S. Kitamura, T. Sato and T. Sueyoshi: Appl. Surf. Sci. 60/61 (1992) 580.

タイトルに関連する用語 (8件)： イオンビーム照射 ,  ウェットエッチング ,  Si ,  ナノピラミッド ,  アレイ ,  NPA ,  製作 ,  プロセス