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J-GLOBAL ID：200902185248582342   整理番号：00A0262709

赤外自由電子レーザ照射によるシリコン同位体濃縮

Silicon Isotope Separation by the Irradiation of Infrared Free Electron Laser.

著者 (4件)： 野田哲二 (金材技研) ,  鈴木裕 (金材技研) ,  LYMAN J L (Los Aiamos National Lab., New Mexico., USA) ,  NEWNAM B E (Los Aiamos National Lab., New Mexico., USA)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 64  号： 2  ページ： 174-175  発行年： 2000年02月20日 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1000cm^-1,800cm<sup>...

シソーラス用語： レーザ発振 ,...
準シソーラス用語： 大出力レーザ

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分類 (1件)： 同位体分離  (CB10030R)

引用文献 (6件)：

• NODA, T. Metals & Technol. 1993, 63, 32-37
• KAMIOKA, M. J. Phys. Chem. 1986, 90, 5727-5730
• JACOX, M. E. J. Chem. Phys. 1995, 103, 5308-5314
• SUZUKI, H. J. Japan Inst. Metals. 1997, 61, 145-152
• TOSA, V. J. Mol. Struct. 1997, 410-411, 411-414

タイトルに関連する用語 (3件)： 赤外自由電子レーザ ,  シリコン ,  同位体濃縮