走査型トンネル顕微鏡探針からの正孔注入による電解液中でのGaAs表面のナノスケールエッチング

KANESHIRO C; OKUMURA T

文献

J-GLOBAL ID：200902185515642864 整理番号：97A1011383

走査型トンネル顕微鏡探針からの正孔注入による電解液中でのGaAs表面のナノスケールエッチング

Nanoscale etching of GaAs surfaces in electrolytic solutions by hole injection from a scanning tunneling microscope tip.

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巻： 15 号： 5 ページ： 1595-1598 発行年： 1997年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

酸性溶液(pH=2~3)中でSTMを用いることによりGaAs...

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固体デバイス製造技術一般 , 顕微鏡法

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