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J-GLOBAL ID：200902186452436491   整理番号：96A0559305

グラファイト基板上の水素化非晶質シリコンの初期成長過程の実空間研究

Real-space investigation of initial growth process of hydrogenated amorphous silicon on a graphite substrate.

著者 (6件)： MATSUSE M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUBOI S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWASAKI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  EGUCHI M (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  SAKATA H (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 53  号： 19  ページ： 12585-12588  発行年： 1996年05月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高配向熱分解グラファイト(HOPG)上にシランプラズマで水素...

シソーラス用語： パイログラファイト ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラファイト ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  初期 ,  成長過程 ,  実空間 ,  研究