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J-GLOBAL ID：200902187584130096   整理番号：01A0271097

ファセット制御エピタクシー横方向被覆成長(FACELO)を用いた低欠陥密度GaNの作製と特性評価

Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth(FACELO).

著者 (9件)： HIRAMATSU K (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NISHIYAMA K (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ONISHI M (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIZUTANI H (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NARUKAWA M (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MOTOGAITO A (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  IYECHIKA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Tsukuba, JPN) ,  MAEDA T (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Tsukuba, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 221  ページ： 316-326  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧有機金属気相エピタキシー(LP-MOVPE)によるエピタ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ファセット ,  エピタクシー ,  横方向被覆成長 ,  欠陥密度 ,  GaN ,  作製 ,  特性評価