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J-GLOBAL ID:200902187584130096   整理番号:01A0271097

ファセット制御エピタクシー横方向被覆成長(FACELO)を用いた低欠陥密度GaNの作製と特性評価

Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth(FACELO).
著者 (9件):
資料名:
巻: 221  ページ: 316-326  発行年: 2000年12月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低圧有機金属気相エピタキシー(LP-MOVPE)によるエピタ...
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分類 (1件):
分類
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半導体薄膜 

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