SiCの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネル移動度と界面状態密度との関係

文献

J-GLOBAL ID：200902188132512567 整理番号：02A0243221

Relationship between channel mobility and interface state density in SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.

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HARADA S

HARADA S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)