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J-GLOBAL ID：200902188875103327   整理番号：01A0304598

GaN系半導体での放射性および無放射性再結合過程

Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors.

著者 (9件)： KAWAKAMI Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OMAE K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANETA A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKAMOTO K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SAIJOU S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  INOUE K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NARUKAWA Y (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 183  号： 1  ページ： 41-50  発行年： 2001年01月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1-x...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 過渡回折格子法 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  放射性