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J-GLOBAL ID：200902188974111897   整理番号：95A0555343

光CVD SiO₂膜中の荷電欠陥の評価 Photo I-V法

Trapped Charge Distribution of Photo CVD SiO2 from photo I-V Characteristics.

著者 (6件)： 山本英明 (大阪大 基礎工) ,  岩崎慎也 (大阪大 基礎工) ,  奥村勝英 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  奥山雅則 (大阪大 基礎工) ,  浜川圭弘 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 2  ページ： 803  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光CVD ,  SiO2 ,  荷電欠陥 ,  評価