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J-GLOBAL ID：200902189003827000   整理番号：02A0038034

二段階歪緩和処理を用いたSi(001)面上SiGe層の貫通転位密度の低減

Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si(001) using a two-step strain-relaxation procedure.

著者 (7件)： SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUGIMOTO K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 21  ページ： 3398-3340  発行年： 2001年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質な標題SiGeバッファ層を作製する方法を開発した。本方...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  歪緩和 ,  Si ,  SiGe ,  貫通転位密度