原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiC:H膜の光学的特性

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J-GLOBAL ID：200902189090125548 整理番号：01A0575118

Optical Properties of a-SiC:H Films Prepared by Plasma CVD Method Dissociating Source Gases Separately.

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巻： J84-C 号： 6 ページ： 508-515 発行年： 2001年06月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

グロー放電法により作製する水素化アモルファス炭化シリコン(a...

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固体デバイス材料

引用文献 (20件)：

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