(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As量子ドットの光学的特性 (3)  顕微PL

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J-GLOBAL ID：200902189158830415 整理番号：99A1009430

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子ドットの光学的特性 (3) 顕微PL

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資料名：
巻： 60th 号： 1 ページ： 409 発行年： 1999年09月01日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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