ノボラック樹脂ベースの化学増幅ネガ型レジストシステムのナノメータイメージング特性及び樹脂マトリックスの分子量分布効果

SHIRAISHI H; YOSHIMURA T; SAKAMIZU T; UENO T; OKAZAKI S

文献

J-GLOBAL ID：200902189442188898 整理番号：95A0141449

ノボラック樹脂ベースの化学増幅ネガ型レジストシステムのナノメータイメージング特性及び樹脂マトリックスの分子量分布効果

Nanometer-scale imaging characteristics of novolak resin-based chemical amplification negative resist systems and molecular weight distribution effects of the resin matrics.

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巻： 12 号： 6 ページ： 3895-3899 発行年： 1994年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子ビームリソグラフィーに対する標記効果を調べた。レジストシ...

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固体デバイス製造技術一般 , 電子ビーム・イオンビームの応用

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