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J-GLOBAL ID：200902189587365887   整理番号：01A0059356

Si(111)1°オフ基板上成長CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネルダイオード構造のエピタキシャル成長と電気特性

Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF₂/Si/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate.

著者 (3件)： WATANABE M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  IKETANI Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ASADA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 10A  ページ： L964-L967  発行年： 2000年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部分的イオン化MBE法を用いて,Si基板上のCaF<sub>...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (12件)：

• 1) T. Sumiya, K. Honda, T. Miura and S. Tanaka: J. Appl. Phys. 85 (1999) 941.
• 2) C.-C. Cho, H.-Yu Liu, J. A. Keenan and K. H. Park: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L530.
• 3) M. Watanabe, T. Suemasu, S. Muratake and M. Asada: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 300.
• 4) T. Suemasu, M. Watanabe, J. Suzuki, Y. Kohno, M. Asada and N. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 57.
• 5) T. Suemasu, Y. Kohno, W. Saitoh, M. Watanabe and M. Asada: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 2203.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  オフ ,  成長 ,  CaF2 ,  共鳴トンネルダイオード ,  エピタキシャル成長 ,  電気特性