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J-GLOBAL ID：200902189718954875   整理番号：93A0344204

ゾルゲル法による五酸化タンタル膜の合成と性質

Preparation and Properties of Tantalum Oxide Films by Sol-Gel Method.

著者 (3件)： 大石知司 (日立 日立研) ,  中沢哲夫 (日立 日立研) ,  加藤明 (日立 日立研)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： 76  号： 3  ページ： 85-93  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： L0196A  ISSN： 0915-1907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゾルゲル法による五酸化タンタル薄膜の合成を検討した。ピンホー...

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,...
準シソーラス用語： SEM【電顕】 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (11件)：

• MACKENZIE, J. D. Application of Sol - Gel Methods for Glass and Ceramic Processing. Ultrastruct. Processing of Ceramics, Glasses and Composites. 1984, 15
• 神谷寛一. 新しい機能材料へのゾルゲル法の応用. 電気化学セミナー講演集. 1985
• 津久井勤. 電子デバイス絶縁. 電気評論. 1190, 1992
• 岡田勝. CVD及びスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質. 電気化学. 1985, 53, 109
• NISHIOKA, Y. Dielectric Characteristics of Double Layer Structure of Extremely Thin Ta_2O_5 /SiO_2 Film on Si. J. Electrochem. Soc. 1987, 34, 410

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾルゲル法 ,  酸化 ,  タンタル膜 ,  性質