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J-GLOBAL ID：200902190495931493   整理番号：01A0559241

Si(100)上のGe及びGe(100)上のSiの初期1単分子層成長の評価

Characterization of initial one monolayer growth of Ge on Si(100) and Si on Ge(100).

著者 (5件)： IKEDA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YANASE J (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGAHARA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA Y (Teikyo Univ., Yamanashi, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 175/176  ページ： 1-5  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記1単分子層成長を同軸直衝突イオン散乱分光により調べた。減...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ICISS法

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ge ,  初期 ,  単分子層 ,  成長 ,  評価