文献

J-GLOBAL ID：200902190558629202   整理番号：02A0106716

AlGaN Resonant Tunneling Diodes Grown by rf-MBE.

著者 (3件)： KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  BANNAI R (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 1  ページ： 187-190  発行年： 2001年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： AlGaN ,  RF-MBE