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J-GLOBAL ID：200902190839222861   整理番号：02A0332844

4Hおよび6H SiC(0001) MOSFETの反転層移動度の,焼成再酸化アニーリング時の水分含有量に対する強い依存性

Strong Dependence of the Inversion Mobility of 4H and 6H SiC(0001) MOSFETs on the Water Content in Pyrogenic Re-Oxidation Annealing.

著者 (6件)： KOSUGI R (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body(UPR), Ibaraki, JPN) ,  OKAMOTO M (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  HARADA S (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SENZAKI J (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 23  号： 3  ページ： 136-138  発行年： 2002年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCベースMOSFETは高パワー,高周波電子デバイス用の候...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  MOSFET ,  反転層 ,  移動度 ,  焼成 ,  再酸化 ,  アニーリング ,  水分含有量 ,  依存性