常圧気相エピタキシー法による室温紫外線発光を示すZnO薄膜の成長

OMICHI K; KAIYA K; TAKAHASHI N; NAKAMURA T; OKAMOTO S; YAMAMOTO H

文献

J-GLOBAL ID：200902191055182223 整理番号：01A0323816

常圧気相エピタキシー法による室温紫外線発光を示すZnO薄膜の成長

Growth of ZnO thin films exhibiting room-temperature ultraviolet emission by means of atmospheric pressure vapor-phase epitaxy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0323816&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0323816&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0204A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 11 号： 2 ページ： 262-263 発行年： 2001年02月
JST資料番号： W0204A ISSN： 0959-9428 CODEN： JMACEP 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

標記のZnO薄膜の成長には,出発材料としてよう化亜鉛と酸素を...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0323816&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0204A") }}

酸化物薄膜 , 半導体のルミネセンス

, , , , ,

前のページに戻る