液体ソース化学気相蒸着により作製した(Ba,Sr)TiO<sub>3</sub>薄膜中の原子的混入率の測定と表面反応の模型化

YAMAMUKA M; KAWAHARA T; TARUTANI M; HORIKAWA T; SHIBANO T; OOMORI T

文献

J-GLOBAL ID：200902191632372550 整理番号：01A0700197

液体ソース化学気相蒸着により作製した(Ba,Sr)TiO₃薄膜中の原子的混入率の測定と表面反応の模型化

Measurement of Atomic Incorporation Rates and Modeling of Surface Reactions in (Ba,Sr)TiO₃ Films Prepared by a Liquid Source Chemical Vapor Deposition.

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資料名：
巻： 40 号： 5A ページ： 3435-3441 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

液体ソースCVDにより作製した(Ba,Sr)TiO<sub>...

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酸化物薄膜

引用文献 (15件)：

1) A. Yuuki, M. Yamamuka, T. Makita, T. Horikawa, T. Shibano, N. Hirano, H. Maeda, N. Mikami, K. Ono and H. Abe: Dig. Int. Electron Device Meet. (IEEE, New York, 1995) p. 115.
2) S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and H. Ono: Dig. Int. Electron Device Meet. (IEEE, New York, 1995) p. 119.
3) K. P. Lee, Y. S. Park, D. H. Hwang, C. J. Kang, K. Y. Lee, J. S. Kim, J. K. Park, B. H. Roh, J. Y. Lee, B. C. Kim, J. H. Lee, K. N. Kim, J. W. Park and J. G. Lee: Dig. Int. Electron Device Meet. (IEEE, New York, 1995) p. 907.
4) T. Kawahara, M. Yamamuka, A. Yuuki and K. Ono: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5077.
5) K. Eguchi and M. Kiyotoshi: Integrat. Ferroelectr. 14 (1997) 39.

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液体ソース化学気相蒸着により作製した(Ba,Sr)TiO3薄膜中の原子的混入率の測定と表面反応の模型化

液体ソース化学気相蒸着により作製した(Ba,Sr)TiO₃薄膜中の原子的混入率の測定と表面反応の模型化