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J-GLOBAL ID：200902192579265637   整理番号：96A0948363

(775)B GaAs基板上にMBE成長したGaAs薄膜表面のコラゲーションの初期形成過程

Initial formation process of surface corrugation of GaAs films grown on (775)B GaAs substrates by MBE.

著者 (6件)： 山本昌則 (大阪大 基礎工) ,  東脇正高 (大阪大 基礎工) ,  森本英徳 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  安立明 (日新電機) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 1  ページ： 169  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  薄膜 ,  初期 ,  形成過程