FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化

文献

J-GLOBAL ID：200902192893199762 整理番号：99A0661591

Reduction of dislocation density of HVPE-grown GaN on sapphire substrate by using facet-initiated epitaxial lateral overgrowth technique.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0661591&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0661591&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 26 号： 2 ページ： 25-26 発行年： 1999年07月01日
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

引用文献 (6件)：

NAKAMURA, S. Proc. 2^<nd> Intern. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan. 1998, 371
UJIIE, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L337
USUI, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L899
SAKAI, A. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2259
SAKAI, A. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 481

, ,

前のページに戻る