文献

J-GLOBAL ID：200902193596476540   整理番号：00A0867319

走査型トンネル顕微鏡法/走査型トンネル分光法により調べた電子注入によるSiO₂超薄膜へのトラップ生成

Trap creation in ultrathin SiO₂ films due to electron injection studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy.

著者 (3件)： OHMORI K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 162/163  ページ： 395-400  発行年： 2000年08月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡(STM)と走査型トンネル分光法(STS...

シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0867319&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型トンネル顕微鏡法 ,  走査型トンネル分光法 ,  電子注入 ,  SiO2 ,  超薄膜 ,  トラップ