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J-GLOBAL ID：200902193678345819   整理番号：96A0451836

斜入射MBE法により作製したGaAs/AlGaAs T字型エッジ量子細線のCL測定 (3)

CL measurement of T-shaped quantum wire fabricated by glancing angle MBE. (3).

著者 (9件)： 冨田信之 (大阪大 基礎工) ,  岸健 (大阪大 基礎工) ,  竹川一紀 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  藤田和久 (ATR光電波通信研) ,  渡辺敏英 (ATR光電波通信研) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 3  ページ： 1236  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： 斜入射 ,  MBE ,  作製 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  T字型 ,  エッジ ,  量子細線 ,  Cl