文献

J-GLOBAL ID：200902194482060383   整理番号：96A1011817

ゾル-ゲル法によるSrBi₂Ta₂O₉薄膜の新低温処理法

New Low Temperature Processing of Sol-Gel SrBi₂Ta₂O₉ Thin Films.

著者 (7件)： ITO Y (Sharp Corp., Chiba, JPN) ,  USHIKUBO M (Sharp Corp., Chiba, JPN) ,  YOKOYAMA S (Sharp Corp., Chiba, JPN) ,  MATSUNAGA H (Sharp Corp., Chiba, JPN) ,  ATSUKI T (Mitsubishi Material Corp., Saitama, JPN) ,  YONEZAWA T (Mitsubishi Material Corp., Saitama, JPN) ,  OGI K (Mitsubishi Material Corp., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 9B  ページ： 4925-4929  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ta/SiO₂/Si基板上にゾル...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A1011817&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (17件)：

• WU, S. Y. IEEE Trans. Electron Devices. 1974, ED-21, 499
• KINNEY, W. I. Tech. Dig. Int. Electron. Device Meet. 1987, 850
• EATON, S. S. IEEE ISSCC Tech. Dig. 1988, 130
• SCOTT, J. F. Science. 1989, 246, 1400
• EVANS, J. T. IEEE J. Solid-State Circ. 1988, SSC-23, 1171

タイトルに関連する用語 (3件)： ゾル-ゲル法 ,  薄膜 ,  低温処理