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J-GLOBAL ID：200902196339808353   整理番号：02A0436905

MBE成長時におけるGa終端GaAs(001)表面のAs₂分子の役割

Role of As₂ molecules on Ga-terminated GaAs(001) surfaces during the MBE growth.

著者 (3件)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  SEINO K (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 236  号： 4  ページ： 511-515  発行年： 2002年03月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga終端GaAs(001)-β2(2×4)表面上の二個のAs...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE成長 ,  Ga ,  終端 ,  GaAs ,  分子 ,  役割