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J-GLOBAL ID：200902196430518570   整理番号：03A0084010

分子ビームエピタクシーによるSi(100)とSi(111)上への超薄結晶性Al₂O₃ゲート絶縁膜の作製と電気的評価

Fabrication and Electrical Characterization of Ultrathin Crystalline Al₂O₃ Gate Dielectric Films on Si(100) and Si(111) by Molecular Beam Epitaxy.

著者 (4件)： SHAHJAHAN M (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  TAKAHASHI N (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  SAWADA K (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  ISHIDA M (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 12B  ページ： L1474-L1477  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の薄膜を作製し,構造及び電気特性を調べた。膜は表面が平滑...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： 界面反応 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (15件)：

• 1) X. Guo, X. Wang, Z. Luo, T. P. Ma and T. Tamagawa: Proc. Int. Electron Device Meet. Dig. 1998 (IEEE, Piscataway, NJ, 1998) p. 377.
• 2) D. Park, Q. Lu, T. King, C. Hu, A. Kainitsky, S. Tay and C. Cheng: Proc. Int. Electron Device Meet. Dig. 1998 (IEEE, Piscataway, NJ, 1998) p. 381.
• 3) L. Manchanda: Int. Proc. Electron Device Meet. Dig. 1999 (IEEE, Piscataway, NJ, 1999) p. 150.
• 4) Y. Koji, M. Shahjahan, R. Ito, K Sawada and M. Ishida: <I>Proc. Int. Solid State Devices & Materials, 2001</I> (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 2001) p. 588.
• 5) M. Shahjahan, Y. Koji, K. Sawada and M. Ishida: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2602.

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子ビームエピタクシー ,  Si ,  結晶性 ,  Al2O3 ,  ゲート絶縁膜 ,  作製 ,  評価